新竹2026年4月23日 美通社 －－ 全球硅知识产权（IP）领导供应商 M31 円星科技（M31）今日于 2026 年台积电北美技术研讨会宣布，其 eUSB2V2 接口 IP 已于台积电（TSMC）N2P 工艺完成流片（Tapeout）。M31 表示，该成果展现公司在先进工艺接口IP的投入，并将强化 2 纳米世代的设计，支援客户于高整合 SoC 中导入高速、低功耗的连结接口。

随着先进节点演进，SoC 朝更高计算密度与更严苛能效（Energy Efficiency）目标迈进，IO 接口除了需满足高速传输与相容性，必须在更低工作电压与更紧缩的功耗预算下，维持稳健的讯号品质与可制造性。M31 本次完成流片的 eUSB2V2，是针对 TSMC N2P 平台特性进行设计、电路与布局（Layout）层级的协同优化，以提升整体效能与功耗效率，并兼顾面积使用效率与系统整合弹性。

技术重点方面， 在与既有 USB 2.0 生态系統相容的前提下，支援 1.2V0.9V 低电压操作，通过强化类比前端设计，包含导入可编程传输去加重（De－emphasis）与接收端 CTLEVGA 等化技术，显著提升在先进工艺下传输通道的稳健性与设计弹性。在性能表现上，eUSB2V2 最高可支援 4.8 Gbps（HS10） 传输速率，并通过全新的等时传输突发机制 （Isochronous Burst） 提高同时传输的效率。eUSB2V2支援非对称频宽的 HSUxHSDx 模式，预期在标准操作模式下达成 50mW 的极佳功耗表现。搭配N2P 工艺，尤其适合 AI、HPC 与移动设备等追求高效能与低功耗平衡的应用。

针对此次在 N2P 平台的成果，M31 总经理张原熏指出：“2 纳米接口 IP 需贴合工艺平台，方能提升设计效率，并加速上市时程”，他进一步分享：“M31 此次完成eUSB2V2 IP 于 TSMC N2P 工艺的流片，正是以平台导向为核心，协助客户更有效率地导入关键接口、缩短从设计推进到量产准备的时间，并强化 2 纳米节点的整体竞争力。”

M31 强调，本次能达成流片的里程碑，来自与 TSMC 在先进工艺 IP 开发的密切合作，包括依循平台设计方法学、针对工艺与 IO 条件进行电路与布局层级的调校，并配合平台设计参考流程。在 TSMC 先进节点上验证的 IP，有助于提高M31与 TSMC 之共同客户提升接口整合、系统验证和产品进度计划的效率。

展望未来，M31 规划将本次 2 纳米 eUSB2V2 IP 的开发经验延伸更多 TSMC 的先进工艺，并持续支援AI、边缘运算与智能终端等成长动能，同时提升IP 平台之长期价值。