上海2025年4月1日 /美通社/ -- 全球领先的光芯片技术公司HieFo瀚孚光电宣布推出多款全新高效率连续波（CW）DFB磷化铟（InP）激光器，这些产品旨在满足市场对硅光收发器日益增长的需求。 

典型远场图样（15° x 18°）

专为无温控强度调制直探测应用设计的专有新结构

HieFo瀚孚光电的无温控O波段CW激光器系列产品，在-5°C至75°C的工作温度范围内支持CWDM4波长方案，同时保持最低70mW的光输出功率。这些性能参数通过采用无铝的有源量子阱结构实现。该设计为光收发器行业在高温、非密封封装应用中，树立了可靠性与性能的新标杆。

相干光传输中的新效率里程碑

HieFo瀚孚光电通过对先前发布的HCL30 CW DFB激光器芯片进行创新，达成了新的性能水平——利用近期提交的12项专利技术，1毫米腔长激光器芯片可实现超过200mW的典型光输出功率，同时实现低于300kHz的光谱线宽，并在宽功率范围内实现30%以上的电光转换效率（WPE）。HieFo瀚孚光电可提供该激光器设计的定制O波段波长版本，适用于从数据中心到无源光网络（PON）架构等各种相干应用。

"HieFo瀚孚光电最新的产品进展，完美契合业界领先硅光子设计所需的严苛性能标准。"HieFo瀚孚光电董事长兼联合创始人Harry Moore表示，"我们将持续贯彻HieFo瀚孚光电的核心使命——开发并制造行业中最高效、最可靠的磷化铟（InP）芯片。"

HieFo瀚孚光电将在OFC2025上展示及介绍以上创新产品。