Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下简称“Toshiba”）今日宣布推出“TLP3414S”和“TLP3431S”两款新型光继电器。这两款产品采用 S-VSON4T[1]封装，导通时间显著优于 Toshiba 现有产品[2]。TLP3414S 的关断状态输出端电压额定值为 40V，导通状态电流额定值为 250mA；TLP3431S 的关断状态输出端电压额定值为 20V，导通状态电流额定值为 450mA。两款产品即日起开始发货。

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这两款新型光继电器通过改进输入侧红外发光二极管的光输出，并优化光电探测器（光电二极管阵列），实现了更高效的光耦合，从而获得了更快的导通速度，最快可达 150μs。TLP3414S 的导通时间较 Toshiba 现有产品 TLP3414 缩短了约 50%，TLP3431S 的导通时间较 Toshiba 现有产品 TLP3431 缩短了约 62%。

此外，新产品的导通电阻（TLP3414S 最大值为 3Ω，TLP3431S 最大值为 1.2Ω，影响输出导通时的信号衰减）和输出电容（TLP3414S 和 TLP3431S 典型值均为 6.5pF，影响输出关断时的高频信号泄漏）均与 Toshiba 现有产品[2]持平，可确保稳定的信号传输。

新产品非常适合用于半导体测试仪的引脚电路[3]，这类测试仪需要在切换信号的同时，对被测器件 (DUT) 进行高精度、高速的测量。

新产品采用小型的 S-VSON4T 封装，与Toshiba现有产品使用的 VSON4 封装[4]相比，安装面积减少了约 20%，有助于实现半导体测试仪等设备的进一步小型化。

Toshiba 将继续致力于提供满足半导体测试仪对更高性能和更快速度需求的产品。

应用领域

• 半导体测试仪（高速存储器测试仪、高速逻辑测试仪等）
• 探针卡
• 测量设备

产品特点

• 快速导通时间：tON=150μs（最大值）
• 低导通电阻
  TLP3414S RON=3Ω（最大值）
  TLP3431S RON=1.2Ω（最大值）
• 小型 S-VSON4T 封装：1.45×2.0mm（典型值），t=1.3mm（典型值）

主要规格参数

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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

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