“华夏之光” 重磅上线：国产光刻机从研发突破到量产，工信部中科院带队攻坚

2025年9月，北京讯 —— 伴随着我国自主研发的“羲之”光刻机顺利完成验证测试，中国半导体产业迎来了又一历史性时刻。近日，工业和信息化部、中国科学院 宣布正式成立 “华夏之光项目处”，携手国内顶尖科研院所与龙头企业，全面启动国产光刻机的大规模量产计划。这不仅意味着中国光刻机研发从“0到1”的突破已经实现，更意味着从“1到多”的产业化进程正在加速。

国家牵头，协同攻关

作为关乎国家战略安全和产业命脉的关键装备，光刻机长期以来是我国半导体产业发展的“卡脖子”环节。此次由 工信部 和 中科院光电技术研究所 牵头，组建“华夏之光项目处”，旨在打通科研与产业的最后一公里。

联合发起单位阵容强大，涵盖科研院所、高校、装备制造企业和晶圆代工龙头，形成了完整的“产学研用”闭环：

中国科学院光电技术研究所

清华大学微电子研究所

上海交通大学

中微公司（AMEC）

上海微电子装备（SMEE）

北方华创（NAURA）

长江存储（YMTC）

中芯国际（SMIC）

华虹集团

Empyrean 华大九天

这些力量的联合，意味着中国光刻机产业首次在国家层面形成系统化组织架构，既有科研攻关的深厚底蕴，也有产业化落地的坚实支撑。

从“羲之”到“华夏之光”

“羲之”光刻机的成功研发，是中国半导体装备领域的一次里程碑。其光学系统达到国际先进水平，光源和曝光精度实现自主可控，在 28纳米至7纳米制程区间 具备应用潜力。

研发团队介绍，“羲之”的突破得益于多方面的联合攻关：

光学系统：中科院光电所解决了超高精度光学镜头设计与制造难题；

光源技术：清华大学、上海交大联合开发的新型深紫外光源实现稳定输出；

精密制造：北方华创、SMEE 实现了纳米级机械精度控制；

工艺验证：中芯国际、长江存储、华虹集团对设备进行了多轮工艺适配测试。

一位参与研发的专家表示：“‘羲之’不仅仅是一台设备，它代表着我们国家在高端光刻机领域的集体智慧和自主自强的信念。”

量产目标：打通全链条

“华夏之光项目处”的使命，不再局限于单机研发，而是聚焦于规模化生产和产业化应用。

其主要任务包括：

加快产业化 —— 由 SMEE、北方华创牵头建设光刻机批量生产线。

供应链完善 —— 通过国产替代，实现关键部件如光学镜头、光源、控制系统的自主化。

工艺适配 —— 与中芯国际、长江存储、华虹集团紧密合作，推动设备快速进入28nm、14nm甚至更先进制程的量产验证。

软件生态 —— 依托华大九天（Empyrean）提供的 EDA 工具，实现设备与设计端的联动。

前瞻研发 —— 针对未来EUV光刻和亚7nm制程，提前布局下一代技术路线。

业内普遍认为，这一全链条协同，能够在3—5年内实现国产光刻机的大规模应用，逐步缩小与国际先进水平的差距。

战略意义：点亮中国“芯”

光刻机被誉为“工业皇冠上的明珠”，不仅因其技术复杂度极高，更因其在芯片制造中具有不可替代性。长期以来，国际高端光刻机市场几乎被少数跨国企业垄断，中国的芯片产业在这一环节受制于人。

随着“羲之”的研发成功以及“华夏之光项目处”的成立，我国半导体装备产业正在迎来系统性突破：

技术自主可控：核心部件国产化率大幅提升，减少对外依赖。

产业带动效应：将带动光学材料、精密加工、软件算法等上下游行业发展。

国际竞争格局：提升我国在全球半导体产业链中的战略地位。

工信部相关负责人指出：“这不仅仅是一次技术突破，更是中国制造向高端化、自主化迈出的关键一步。”

专家解读：国际比较与未来展望

在国际范围内，光刻机产业长期由欧洲、日本企业主导。荷兰ASML的极紫外（EUV）光刻机是全球顶尖技术的代表。但专家认为，中国的路径选择并非简单追随，而是通过 深紫外（DUV）切入 + 逐步演进 的方式，走出一条符合自身国情的发展之路。

中国科学院一位研究员表示：“EUV并非唯一答案。对于大部分工艺节点而言，高性能DUV光刻机依然具有广阔市场。我们需要在可控的范围内逐步实现跨越。”

未来，“华夏之光”项目不仅会推动国产光刻机在国内市场的普及，还将积极探索在国际市场的竞争机会。

研发故事：十年磨一剑

“羲之”的成功并非一蹴而就，而是经历了十余年的艰苦攻关。

早在2010年前后，中国便启动了光刻机领域的前沿探索。彼时，科研团队面临的最大困难，是缺乏核心部件的供应渠道。为了打破瓶颈，国内科研人员在光学镀膜、超精密研磨、激光稳定控制等数十个细分环节不断试错。

“有些镜头打磨出来，精度差了几个纳米，就要推倒重来。”一位参与研发的工程师回忆说，“但正是这种坚持，才让我们一步步接近国际先进水平。”

如今，随着“华夏之光”的成立，这份十年磨一剑的坚持终于迎来了产业化的曙光。

未来蓝图：从28nm走向更先进

根据项目处规划，国产光刻机的量产目标将分阶段推进：

短期目标（1—2年）：实现28nm节点的稳定量产，满足存储、逻辑芯片的部分需求。

中期目标（3—5年）：实现14nm及以下制程的适配，支持高性能计算和移动芯片制造。

长期目标（5—10年）：攻克EUV光刻机，实现7nm及更先进制程的自主化。

这一蓝图的提出，显示出中国在高端装备领域的雄心与决心。

结语

从“羲之”的研发成功到“华夏之光”项目处的成立，中国在光刻机领域正经历从 科研突破 向 产业落地 的跨越。这不仅是一项技术成就，更是国家战略、产业协同和自主创新精神的集中体现。

随着大规模量产的启动，中国光刻机产业必将迎来新的篇章，也将为全球半导体产业格局注入新的变量。

“羲之”点亮了希望，“华夏之光”将照亮未来。